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Transport Quantique & Nouveaux Systèmes 2D
Membres actuels
COILLOT Christophe (IT)
CONTRERAS Sylvie (Chercheur)
JUILLAGUET Sandrine (Enseignant Chercheur)
LANDOIS Périne (Enseignant Chercheur)
NANOT Sébastien (Enseignant Chercheur)
PAIN Yves (Doctorant)
Présentation
Nous nous intéressons aux nouveaux matériaux 2D (et aux gaz d’électrons bidimensionnels), depuis leur élaboration jusqu’aux applications en nous appuyant sur l’étude de leurs propriétés fondamentales, en particulier via des mesures de magnéto-transport électronique.
Historiquement dédiée à l’étude des capteurs à base de semiconducteurs à grand gap (et en particulier du SiC) notre équipe s’est dédiée ces dernières années d’une part, à l’étude du graphène et ses propriétés (de la croissance aux propriétés électroniques fondamentales) ; ainsi que d’autre part, à la caractérisation (structurelle, optique et électronique) de nouveaux composants à base de GaN. Nous nous intéressons actuellement aux propriétés électroniques de nouveaux matériaux de la famille du graphène : les dichalcogénures (similaires du point de vue structurel), les isolants topolgiques (similitudes de la dispersion électronique) ; ainsi qu’aux applications potentielles du graphène pour les capteurs pour l’environnement.
Nous comptons dans l’équipe 7 permanents (2 chercheurs CNRS, 4 enseignants-chercheurs et 1 ingénieur de recherche), ainsi qu’1 émérite, 1 ingénieur contractuel et 5 étudiants en thèse.
Proposition de stages 2024, thèses 2024-2027 et postdoctorats
Nous avons encore une proposition de stage M1 ou M2 à pourvoir. Les candidatures spontanées sont également les bienvenues.
- Stage M1 ou M2 : Développement d’un capteur graphène pour l’environnement
Thématiques de recherche
Notre équipe s’intéresse à quatre grands thèmes en interaction permanente entre eux et avec les autres équipes du laboratoire et de l’axe :
Transport des dispositifs quantiques :
Magnétotransport à basse température et étude des propriétés (quantiques ou mésoscopiques) de gaz d’électrons 2D (graphène, isolants topologiques, supraconducteurs, TMDs, ...).
Elaboration de graphène :
Croissance par sublimation sur SiC et CVD sur cuivre pour l’obtention de monofeuillets de haute qualité et faible dopage.
Etude des propriétés physiques de dispositifs innovants :
Caractérisation (structurale, mécaniques, optiques, électriques) de composants à base de semiconducteurs (GAN, SiC, graphène).
Capteurs pour l’environnement :
Développement de capteurs de gaz à base de graphène et de l’électronique associée pour l’agronomie.
Activités de diffusion scientifique et écoles d’été
- Éducation à la transition écologique : Participation à la mise en place d’enseignements autour de la transition écologique à l’Université de Montpellier (Faculté des Sciences, Faculté d’Éducation, Écoles Doctorales).
- Dans la Peau d’un chercheur : Des enseignants-Chercheurs du L2C au contact des élèves de l’école élémentaire et des collégiens : l’initiative "Dans la Peau d’un Chercheur"
- Summer School on Low Dimensional Systems - June, 17-28, 2019 : Nos membres de l’équipe participent à l’une ou l’autre des deux sessions de cette école d’été organisée par Laurent Alvarez du L2C (Montpellier du 24 au 28 juin) et Pascal Puech du CEMES (Toulouse du 17 au 21 juin).
Toutes les productions
Dernières publications
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Dirac‐Like Fermions Anomalous Magneto‐Transport in a Spin‐Polarized Oxide 2D Electron System  Auteur(s): Chen Yu, d'Antuono Maria, Trama Mattia, Preziosi Daniele, Jouault B., Teppe F., Consejo C., Perroni Carmine, Citro Roberta, Stornaiuolo Daniela, Salluzzo Marco
(Article) Publié:
Advanced Materials, vol. p. (2024)
Texte intégral en Openaccess : |
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Determining by Raman spectroscopy the average thickness and N -layer-specific surface coverages of MoS 2 thin films with domains much smaller than the laser spot size Auteur(s): Wasem Klein Felipe, Huntzinger J.-R., Astié Vincent, Voiry Damien, Parret R., Makhlouf H., Juillaguet S., Decams Jean-Manuel, Contreras S., Landois P., Zahab A. A., Sauvajol J.-L., Paillet M.
(Article) Publié:
Beilstein Journal Of Nanotechnology, vol. 15 p.279-296 (2024)
Texte intégral en Openaccess : |
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Direct liquid injection pulsed-pressure MOCVD of large area MoS 2 on Si/SiO 2 Auteur(s): Astié Vincent, Wasem Klein Felipe, Makhlouf H., Paillet M., Huntzinger J.-R., Sauvajol J.-L., Zahab A. A., Juillaguet S., Contreras S., Voiry Damien, Landois P., Decams Jean-Manuel (Article) Publié: Physical Chemistry Chemical Physics, vol. p. (2024) |
