Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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PEYRE Herve      
Fonction : MdC
Organisme : Université Montpellier
Maître de Conférences
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
 - Composants et capteurs
Herve.Peyre_AT_umontpellier.fr
Bureau: 13.1, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Locale:
  • Responsable de formations
  • Responsable de diplôme (M2)
Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Matériaux
  • Chimie/Matériaux
  • Sciences de l'ingénieur/Microélectronique
  • Physique/Physique/Chimie-Physique
  • Physique
  • Physique/Matière Condensée
  • Sciences de l'ingénieur/Electronique
  • Sciences de l'ingénieur/Energie électrique
Dernieres productions scientifiques :
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+ High temperature electrical transport properties of MBE-grown Mg-doped GaN and AlGaN materials doi link

Auteur(s): Konczewicz L., Juillaguet S., Litwin-Staszewska E., Piotrzkowski R., Peyre H., Matta S., Al Khalfioui M., Leroux M., Damilano B., Brault J., Contreras S.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 128 p.085703 (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

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+ 4H-SIC p-type doping determination from secondary electrons imaging hal link

Auteur(s): Kayambaki M, Makris N., Tsagarakis K., Peyre H., Stavrinidis A, Zekentes K.

Conference: 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) (Birmingham, GB, 2018-09-02)

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+ (Al,Ga)N quantum dots for deep UV LEDs

Auteur(s): Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Korytov M, Ngo T. H., Vuong P., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Vennegues P, Duboz J. y., Massies Jean, Chaix C., Peyre H., Juillaguet S., Contreras S., Gil B.

Conference: International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP, 2018-11-11)

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+ Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN hal link

Auteur(s): Contreras S., Konczewicz L., Juillaguet S., Peyre H., Al Khalfioui Mohamed, Matta S., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Gil B., Brault Julien

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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+ Photoluminescence study of Mg-doped GaN and AlxGa1-xN (x<0.4) grown by molecular epitaxy hal link

Auteur(s): Brault Julien, Leroux Mathieu, Matta S., Al Khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Peyre H., Contreras S., Juillaguet S., Gil B.(Corresp.)

(Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11

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