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(322) Production(s) de GIL B.
A planar defect spin sensor in a two-dimensional material susceptible to strain and electric fields Auteur(s): Udvarhelyi Péter, Clua-Provost Tristan, Durand A., Li Jiahan, Edgar James, Gil B., Cassabois G., Jacques V., Gali Adam (Article) Publié: Npj Computational Materials, vol. 9 p.150 (2023) Texte intégral en Openaccess : |
Nanoporous GaN by selective area sublimation through an epitaxial nanomask: AlN versus Si$_x$N$_y$ Auteur(s): Damilano B, Vézian S., Brault J., Ruterana P, Gil B., Tchernycheva M. (Article) Publié: Nanotechnology, vol. 34 p.245602 (2023) |
Optically Active Spin Defects in Few-Layer Thick Hexagonal Boron Nitride Auteur(s): Durand A., Clua-Provost T., Fabre F., Kumar P., Li J., Edgar J. H., Udvarhelyi P., Gali A., Marie X., Robert C., Gérard J. M., Gil B., Cassabois G., Jacques V. (Article) Publié: Physical Review Letters, vol. 131 p.116902 (2023) Texte intégral en Openaccess : |
Magnetic Imaging with Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride Auteur(s): Kumar P., Fabre F., Durand A., Clua-Provost T., Li J., Edgar J. H., Rougemaille N., Coraux J., Marie X., Renucci P., Robert C., Robert-Philip I., Gil B., Cassabois G., Finco A., Jacques V. (Article) Publié: Physical Review Applied, vol. 18 p.L061002 (2022) Texte intégral en Openaccess : |
Stacking-dependent deep level emission in boron nitride Auteur(s): Rousseau A., Valvin P., Elias C., Xue L., Li J., Edgar J. H., Gil B., Cassabois G. (Article) Publié: Physical Review Materials, vol. 6 p.094009 (2022) |
Superradiance of optical phonons in two-dimensional materials Auteur(s): Cassabois G., Fugallo G, Gil B. (Article) Publié: Physical Review Research, vol. 4 p.L032040 (2022) Texte intégral en Openaccess : |
Determination of the direct bandgap value in In4Se3 thin films Auteur(s): De Brucker L., Moret M., Gil B., Desrat W. (Article) Publié: Journal Of Physics: Condensed Matter, vol. 34 p.425703 (2022) |