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(6) Production(s) de DURAND A.
A planar defect spin sensor in a two-dimensional material susceptible to strain and electric fields Auteur(s): Udvarhelyi Péter, Clua-Provost Tristan, Durand A., Li Jiahan, Edgar James, Gil B., Cassabois G., Jacques V., Gali Adam (Article) Publié: Npj Computational Materials, vol. 9 p.150 (2023) Texte intégral en Openaccess : |
Optically Active Spin Defects in Few-Layer Thick Hexagonal Boron Nitride Auteur(s): Durand A., Clua-Provost T., Fabre F., Kumar P., Li J., Edgar J. H., Udvarhelyi P., Gali A., Marie X., Robert C., Gérard J. M., Gil B., Cassabois G., Jacques V. (Article) Publié: Physical Review Letters, vol. 131 p.116902 (2023) Texte intégral en Openaccess : |
Magnetic Imaging with Spin Defects in Hexagonal Boron Nitride Auteur(s): Kumar P., Fabre F., Durand A., Clua-Provost T., Li J., Edgar J. H., Rougemaille N., Coraux J., Marie X., Renucci P., Robert C., Robert-Philip I., Gil B., Cassabois G., Finco A., Jacques V. (Article) Publié: Physical Review Applied, vol. 18 p.L061002 (2022) Texte intégral en Openaccess : |
Cavity-enhanced zero-phonon emission from an ensemble of G centers in a silicon-on-insulator microring Auteur(s): Lefaucher B., Jager J.-B., Calvo V., Durand A., Baron Y., Cache F., Jacques V., Robert-Philip I., Cassabois G., Herzig T., Meijer J., Pezzagna S., Khoury M., Abbarchi M., Dréau A., Gérard J.-M. (Document sans référence bibliographique) Texte intégral en Openaccess : |
Défauts uniques optiquement actifs dans les semi-conducteurs pour les technologies quantiques : du centre NV du diamant aux défauts uniques du silicium Auteur(s): Durand A. |
Monolayer Boron Nitride: Hyperspectral Imaging in the Deep Ultraviolet Auteur(s): Rousseau A., Ren Lei, Durand A., Valvin P., Gil B., Watanabe Kenji, Taniguchi Takashi, Urbaszek Bernhard, Marie Xavier, Robert Cédric, Cassabois G. (Article) Publié: Nano Letters, vol. 21 p.10133 (2021) Texte intégral en Openaccess : |