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- Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium doi link

Auteur(s): Bah Micka, Valente Damien, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, De Jaeger Jean-Claude, Frayssinet Eric, Comyn Rémi, Ngo T. H., Alquier Daniel, Cordier Yvon

(Article) Publié: Scientific Reports, vol. 10 p. (2020)
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