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Nous proposons un système de deux puits quantiques, l'un HgCdTe et l'autre HgCdMnTe, soumis à un champ électrique et à un champ magnétique, tous deux parallèles à l'axe de croissance. On montre que, dans ce système, le facteur g de spin dépend fortement du champ électrique. En jouant sur les champs, il est possible de localiser les électrons avec un spin donné dans l'un ou l'autre des puits quantiques. Ce système peut être utilisé pour la réalisation d'un transistor électrique ou magnétique de spin.

Pour plus d'informations, merci de contacter Chaubet C.