Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(311) Production(s) de KNAP W.

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+ The dynamic range of THz broadband FET detectors doi link

Auteur(s): But D., Diakonova N., Drexler C., Drachenko Oleksiy, Romanov K., Golenkov O. G., Sizov F. F., Gutin A., Shur M., Ganichev S. D., Knap W.

Conference: TERAHERTZ EMITTERS, RECEIVERS, AND APPLICATIONS IV (San-Diego, US, 2013-08-25)
Actes de conférence: Proceedings of SPIE, vol. 8846 p.884612 (2013)


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+ Nanotransistor based THz plasma detectors: low temperatures, graphene, linearity, and circular polarization studies doi link

Auteur(s): Knap W., But D., Diakonova N., Coquillat D., Vitiello M. S., Blin S., El Fatimy A., Teppe F., Tredicucci A., Nagatsuma T., Ganichev S.

Conférence invité: SPIE Optical Engineering + Applications, (San Diego, US, 2013)


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+ Plasmonic and bolometric terahertz detection by graphene field-effect transistor doi link

Auteur(s): Muraviev A. V., Rumyantsev S. L., Liu G., Balandin A. A., Knap W., Shur M. S.

(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 103 p.181114 (2013)
Texte intégral en Openaccess : fichier pdf


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+ Emission and Detection of Terahertz Radiation Using Two-Dimensional Electrons in III-V Semiconductors and Graphene doi link

Auteur(s): Otsuji Taiichi, Watanabe Takayuki, Tombet Stephane Albon Boubanga, Satou Akira, Knap W., Popov Vyacheslav V., Ryzhii Maxim, Ryzhii Victor

(Article) Publié: Ieee Transactions On Terahertz Science & Technology, vol. 3 p.63-71 (2013)


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+ The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene doi link

Auteur(s): Rumyantsev S. L., Coquillat D., Ribeiro R., Goiran Michel, Knap W., Shur M. S., Balandin A. A., Levinshtein M. E.

(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 103 p.173114 (2013)


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+ Nonlocal resistance and its fluctuations in microstructures of band-inverted HgTe/(Hg,Cd)Te quantum wells doi link

Auteur(s): Grabecki G., Wrobel J., Czapkiewicz M., Cywinski L., Gieraltowska S., Guziewicz E., Zholudev M., Gavrilenko V., Mikhailov N. N., Dvoretski S. A., Teppe F., Knap W., Dietl T.

(Article) Publié: -Physical Review B Condensed Matter And Materials Physics (1998-2015), vol. 88 p.165309 (2013)
Texte intégral en Openaccess : arxiv


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+ InP- and GaAs-Based Plasmonic High-Electron-Mobility Transistors for Room-Temperature Ultrahigh-Sensitive Terahertz Sensing and Imaging doi link

Auteur(s): Watanabe Takayuki, Boubanga-Tombet Stephane A., Tanimoto Yudai, Fateev Denis, Popov Viacheslav, Coquillat D., Knap W., Meziani Yahya M., Wang Yuye, Minamide Hiroaki, Ito Hiromasa, Otsuji Taiichi

(Article) Publié: Ieee Sensors Journal, vol. 13 p.89 (2013)


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