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Accueil > Production scientifique
(167) Production(s) de LEFEBVRE P.
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Emission properties of basal stacking faults in a-plane gallium nitride  Auteur(s): Corfdir P., Lefebvre P., Levrat J., Dussaigne Amélie, Ristic J., Zhu T., Ganière Jean-Daniel, Grandjean N., Deveaud-Plédran Benoit
Conference: 9th International Workshop on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors. BIAMS 2008 (Tolède, ES, 2008-06-25) |
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Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si. Auteur(s): Corfdir P., Ristic J., Lefebvre P., Calleja E., Ganière Jean-Daniel, Deveaud-Plédran Benoit
Conference: International Workshop on Nitride Semiconductors – IWN08 (Montreux, CH, 2008-10-06) |
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Optical properties of GaN/AlN quantum dots Auteur(s): Lefebvre P., Gayral B.
(Article) Publié:
Comptes Rendus Physique, vol. 9 p.816 (2008)
Texte intégral en Openaccess : |
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Propriétés optiques de nanostructures à base de ZnO Auteur(s): Lefebvre P.
Conférence invité: 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectroniques (Saint-Pierre d'Oléron, FR, 2008-06-03) |
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Time-resolved spectroscopy of excitonic transitions in ZnO/(Zn,Mg)O quantum wells grown by MBE Auteur(s): Lefebvre P.
Conférence invité: 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop (Euro-MBE) (Grenade, ES, 2008-03-05) |
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Polarized emission from a single GaN/AlN quantum dot : Experiment and theory Auteur(s): Guillet T., Bardoux Richard, Gil B., Bretagnon T., Lefebvre P., Taliercio T., Semond F.
Conférence invité: International Conference on LightMatter Coupling in Nanostructures (PLMCN8) (Tokyo, JP, 2008-04-07) |
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Etude du couplage fort exciton-photon dans les microcavités massives ZnO par photoluminescence Auteur(s): Faure Stephane, Guillet T., Bretagnon T., Lefebvre P., Gil B.
Conference: 11ème Journées de la Matière Condensée (JMC11) (Strasbourg, FR, 2008-08-25) |
