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Composants et capteurs
(8) Production(s) de l'année 2020
Buffer layers inhomogeneity and coupling with epitaxial graphene unravelled by Raman scattering and graphene peeling Auteur(s): Wang T., Huntzinger J.-R., Bayle M., Roblin C., Decams Jean-Manuel, Zahab A. A., Contreras S., Paillet M., Landois P. (Article) Publié: Carbon, vol. 163 p.224-233 (2020) Texte intégral en Openaccess : |
Sublimation de carbure de silicium : de la couche tampon à la monocouche de graphène Auteur(s): Landois P., Huntzinger J.-R., Wang T., Bayle M., Jouault B., Zahab A. A., Paillet M., Contreras S.
Conférence invité: Congrès annuel SFEC (Samatan, FR, 2020-04-23) |
Epitaxial graphene growth and characterisation of buffer layer on SiC(0001) Auteur(s): Wang T., Huntzinger J.-R., Decams Jean-Manuel, Bayle M., Zahab A. A., Jouault B., Contreras S., Paillet M., Landois P.
Conference: 2D materials on substrates: growth & properties (Villard de Lans, FR, 2020-01-19) |
Giant step bunching occurrence during graphene growth on 4H SiC(0001) Auteur(s): Hrich H., Paillet M., Wang T., Decams Jean-Manuel, Contreras S., Landois P. (Affiches/Poster) Graphene 2020 on line (On line, FR), 2020-10-19Texte intégral en Openaccess : |
Unconventional reentrant quantum Hall effect in a HgTe/CdHgTe double quantum well Auteur(s): Yakunin M., Krishtopenko S., Podgornykh S., Popov M., Neverov V., Jouault B., Desrat W., Teppe F., Dvoretsky S., Mikhailov N. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p. (2020) Texte intégral en Openaccess : |
High temperature electrical transport properties of MBE-grown Mg-doped GaN and AlGaN materials Auteur(s): Konczewicz L., Juillaguet S., Litwin-Staszewska E., Piotrzkowski R., Peyre H., Matta S., Al Khalfioui M., Leroux M., Damilano B., Brault J., Contreras S. (Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 128 p.085703 (2020) Texte intégral en Openaccess : |
Quantum Hall states in inverted HgTe quantum wells probed by transconductance fluctuations Auteur(s): Mantion S., Avogadri C., Krishtopenko S., Gebert S., Ruffenach S., Consejo C., Morozov S., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Knap W., Nanot S., Teppe F., Jouault B. (Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p.075302 (2020) Texte intégral en Openaccess : |