--------------------
- Transistor Magnétique à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dispositif et procédé associés hal link

Auteur(s): Raymond A., Chaubet C.(Corresp.)

Brevet: #WO2019002453A1, (2019)


Ref HAL: hal-01705324_v1
Exporter : BibTex | endNote
Résumé:

le M-TEGFET, est un nouveau type de transistor, sans grille, fonctionnant grâce à un effet magnétique.