Transistor Magnétique à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dispositif et procédé associés Auteur(s): Raymond A., Chaubet C. Brevet: #WO2019002453A1, (2019) Ref HAL: hal-01705324_v1 Exporter : BibTex | endNote Résumé: le M-TEGFET, est un nouveau type de transistor, sans grille, fonctionnant grâce à un effet magnétique. |