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Résumé:

Le silicium est le semi-conducteur le plus utilisé dans l’industrie de la micro-électronique de puis les années 60. Mais l’utilisation du silicium pour emmètre de la lumière reste limité de part la nature indirect de son gap. Dans ce contexte, le centre G est le plus prometteur… Nous avons effectué des mesures de spectroscopie optique pour caractériser les propriétés de photoluminescence des centres G. Celui ci est crée par irradiation protons d’un échantillon de silicium enrichi carbone. Les principaux résultats sont les suivants : nous avons mesuré la dynamique de recombinaison des centres G (le temps de vie) qui est de 6 ns. On a mesuré la dynamique de l’état métastable des centres G qui a un temps de vie de 6 us. Puis, nous avons pour pu isoler un centre unique dans le silicium ; et nous avons montré que celui-ci émet des photons uniques.