Auteur(s): Aristegui R.
(Article) Publié:
Physical Review B, vol. 106 p.035429 (2022)
Texte intégral en Openaccess : 
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Effect of electric bias on trapping and release of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells Auteur(s): Aristegui R.
(Article) Publié:
Physical Review B, vol. 106 p.035429 (2022)
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