Ref HAL: hal-04104612_v1
DOI: 10.21883/PJTF.2023.11.55533.19524
Exporter : BibTex | endNote
Résumé:

Исследованы электрические и низкочастотные шумовые характеристики одиночных фотодиодных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs, выращенных на подложках n + -InAs и помещенных в атмосферу, содержащую пары этанола. Выявлены взаимосвязи значения сопротивления гетероструктур и спектральной плотности токового шума с насыщенностью воздуха парами этанола и рассмотрены возможные причины такой взаимосвязи. Ключевые слова: InAs-фотодиоды, датчики углеводородов, низкочастотный шум, природный окисел на поверхности InAs, поверхностно-чувствительные структуры.