Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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CONTRERAS Sylvie      
Organisme : CNRS
Chargé de Recherche
(HDR)
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
Sylvie.Contreras_AT_umontpellier.fr
Bureau: 38.0, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Administration Locale:
  • Direction d'équipe
Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
Dernieres productions scientifiques :
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+ Buffer layers inhomogeneity and coupling with epitaxial graphene unravelled by Raman scattering and graphene peeling hal link

Auteur(s): Wang T., Huntzinger J.-R., Bayle M., Roblin C., Decams Jean-Manuel, Zahab A. A., Contreras S., Paillet M., Landois P.

(Document sans référence bibliographique)
Texte intégral en Openaccess : fichier pdf

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+ Photoluminescence of GaN and AlxGa1-xN (x≤ 0.2) doped with Mg and grown by molecular beam epitaxy

Auteur(s): Leroux Mathieu, Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Contreras S., Juillaguet S., Konczewicz L., Gil B., Brochen S.

(Affiches/Poster) JNMO (Cap Esterel-Aguay, FR), 2018-06-13

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+ Structural and electronic properties of epitaxial graphene grown on SiC (0001) at low argon pressure

Auteur(s): Wang T., Landois P., Bayle M., Huntzinger J.-R., De cecco Alessandro, Courtois Hervé, Winkelmann Clemens, Paillet M., Jouault B., Contreras S.

(Affiches/Poster) International Conference on the physics semiconductors (Montpellier, FR), 2018-07-30

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+ Photoluminescence of Mg−doped GaN and AlxGa1−xN (x< 0.2) grown by molecular beam epitaxy

Auteur(s): Leroux Mathieu, Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Contreras S., Juillaguet S.(Corresp.), Konczewicz L.(Corresp.)

(Affiches/Poster) International Conference on the physics semiconductors (Montpellier, FR), 2018-07-30

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+ (Al,Ga)N quantum dots for deep UV LEDs

Auteur(s): Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Korytov M, Ngo T. H., Vuong P., Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Vennegues P, Duboz J. y., Massies Jean, Chaix C., Peyre H., Juillaguet S., Contreras S., Gil B.

Conference: International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP, 2018-11-11)

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