The present invention relates to the field of optical devices, and more specifically to the field of active optical devices

Dispositif de résonance magnétique nucléaire ou d'imagerie par résonnance magnétique, comportant un système de bobines (1) comportant N paires de bobines (10, 20), où N est un entier supérieur à 1, ces bobines (10, 20) s'étendant au moins partiellement selon une surface enveloppe (E) du système de bobines à symétrie de révolution, chaque bobine (10, 20) comportant au moins deux portions opposées (11, 21) définissant un plan associé (P1, P2) parallèle à un premier plan médian (M) de la surface enveloppe (E) contenant un axe de symétrie (Y) de la surface enveloppe (E), les portions opposées (11, 21) des bobines (10, 20) d'une même paire étant disposées de manière symétrique par rapport au premier plan médian (M), les portions opposées (11, 21) d'une bobine (10, 20) étant disposées de manière symétrique par rapport à un deuxième plan médian (N) contenant ledit axe de symétrie (Y) et perpendiculaire au premier plan médian (M).

L'invention se rapporte à un matériau de répartition de champ électrique obtenu à partir dune formulation comprenant une matrice polymérique et une charge ou un mélange de charges conférant audit matériau une résistance électrique non linéaire.

The invention relates to a wire stub antenna for transmitting a sequence of radio-frequency (RF) magnetic field pulses as part of a nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy and/or imaging method, said wire stub antenna comprising a plurality of strands extending at least partially in a direction Z in an orthogonal reference system having an axis z defined by direction Z, said strands being disposed such that the currents passing through the strands of each antenna have the same intensity at the same position along axis z.

An electromagnetic wave detector comprises a field effect transistor, an antenna 601 connected to a first end of a gate 608 of the field effect transistor for receiving incident electromagnetic waves, and a biasing connection pad 605 connected to a second end of the gate 608 for applying a bias voltage to the transistor. The antenna may have a first part 601b connected to the first end of the gate 608 and a second part 601a connected to a source 602 of the transistor. The detector may further comprise a virtual ground element 607 connected to the second end of the gate 608. A control module may control the bias voltage applied on the biasing connection pad 605 according to the electromagnetic power received by the detector. The transistor may be a high electron mobility transistor (HEMT).

At least one electronic device, system and method of manufacturing an electromagnetic wave detector are provided herein. The electronic device for receiving at least one electromagnetic wave of a given frequency may comprise at least one first field effect transistor, and at least one antenna configured to receive the at least one electromagnetic wave and connected to a gate of the at least one first field effect transistor, wherein a length of the gate is in a same order of magnitude as an oscillation length of an oscillation regime of the at least one first field effect transistor at the given frequency, and a width of the gate is such that an impedance presented by the at least one first field effect transistor in the oscillation regime is adapted to an impedance of the at least one antenna.

le M-TEGFET, est un nouveau type de transistor, sans grille, fonctionnant grâce à un effet magnétique.

Une méthode permettant la mesure spectrocolorimétrique des solutions opaques très diffusantes, de type jus de fruits, dans leur packaging d'origine. Les appareils courants sur le marché (spectrocolorimètres) ne permettent pas de réaliser cette mesure. La méthode s'affranchit des contraintes présentes dans ces appareils.