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Production scientifique
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Theory of helicity-sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors 
Auteur(s): Romanov K., Dyakonov M.
(Document sans référence bibliographique) 2013-03-01Texte intégral en Openaccess : 
Ref HAL: hal-00805720_v1
Ref Arxiv: 1303.0144
Ref. & Cit.: NASA ADS
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Résumé: Within the two antenna model, we develop a theory of the recently observed helicity-sensitive detection of terahertz radiation by FETs. The effect arises because of the mixing of the ac signals produced in the channel by the two antennas. We calculate the helicity-dependent part of the photoresponse and its dependence on the antenna impedance, gate length, and gate voltage.
Commentaires: 4 pages, 3 figures App. Phys. Lett. (2013), à paraitre
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Analyseur de polarisation TéraHertz à base de transistors à effet de champs
Auteur(s): Knap W., Teppe F., Diakonova N., Dyakonov M., Klimenko O., Ganichev S., Drexler C.
Brevet: #EP2012074375, (2012)
Ref HAL: hal-00811809_v1
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Résumé: L'invention concerne un dispositif (1) de mesure de l'état de polarisation d'une onde incidente de fréquence de 10 GHz à 30 THz , comportant un transistor à effet de champ (2), une antenne (3) de réception. Suivant l'invention, les parties (31, 33) d'antenne détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (X) provoquant dans le transistor (2) une tension alternative (Us) de détection, les parties (32, 33) détectent une composante de polarisation de l'onde, colinéaire à une direction (Y) provoquant l'apparition dans le transistor (2) d'une tension alternative (Ud) de détection, le transistor (2) étant agencé pour générer, comme signal électrique (ΔU) de détection entre la borne (21) de source et la borne (22) de drain, une tension continue (ΔU) de détection dont une partie est déterminée par l'état de polarisation elliptique de l'onde par interférence dans le transistor (2) entre les tensions alternatives (Us, Ud).
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One-dimensional model for the Fractional Quantum Hall Effect
Auteur(s): Dyakonov M.
Conférence invité: 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Chamonix, FR, 2012-07-22)
Ref HAL: hal-00805791_v1
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Résumé: One-dimensional model for the Fractional Quantum Hall Effect, The 20th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Chamonix, (juillet 2012)
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Fundamentals of spin physics in semiconductors,
Auteur(s): Dyakonov M.
Conférence invité: International School on Spin-Optronics (Saint Pétersbourg, RU, 2012-07-10)
Ref HAL: hal-00805789_v1
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Résumé: International School on Spin-Optronics, Saint Pétersbourg (juillet 2012)
Commentaires: Fundamentals of spin physics in semiconductors, International School on Spin-Optronics, Saint Pétersbourg (juillet 2012)
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State of the art and prospects for quantum computing
Auteur(s): Dyakonov M.
Conférence invité: Advanced Research Workshop: Future Trends in Microelectronics (, FR, 2012-06-25)
Ref HAL: hal-00805788_v1
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Résumé: State of the art and prospects for quantum computing. Advanced Research Workshop: Future Trends in Microelectronics, Corsica (juin 2012)
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Terahertz radiation rectification as a probe of universal conductance fluctuations in graphene, Teranano2011 (Invited paper),Extended Abstract 1(1) 25I-N-10 (2011).
Auteur(s): Coquillat D., Diakonova N., Poumirol Jean-Marie, Goiran Michel, Escoffier Walter, Raquet Bertrand, Teppe F., Dyakonov M., Knap W.
Conférence invité: International TeraNano &GDR-I THz Workshop (Osaka, JP, 2011-11-24)
Ref HAL: hal-00814890_v1
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Résumé: Terahertz radiation rectification as a probe of universal conductance fluctuations in graphene
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Generation and detection of Terahertz radiation by field effect transistors
Auteur(s): Dyakonov M.
Conférence invité: Generation and detection of Terahertz radiation by field effect transistors (Singapore, SG, 2011-12-05)
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