Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(138) Production(s) de l'année 2020

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+ Magnetoplasmon-surface phonon polaritons’ coupling effects in radiative heat transfer doi link

Auteur(s): He Mingjian, Qi Hong, Ren Yatao, Zhao Yijun, Antezza M.

(Article) Publié: Optics Letters, vol. 45 p.5148-5151 (2020)
Texte intégral en Openaccess : arxiv


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+ High temperature electrical transport properties of MBE-grown Mg-doped GaN and AlGaN materials doi link

Auteur(s): Konczewicz L., Juillaguet S., Litwin-staszewska E., Piotrzkowski R., Peyre H., Matta S., Al Khalfioui M., Leroux M., Damilano B., Brault J., Contreras S.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 128 p.085703 (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Physical modeling of a sliding clamp mechanism for the spreading of ParB at short genomic distance from bacterial centromere sites

Auteur(s): Walter J.-C.(Corresp.), Rech Jerome, Walliser N.-O., Dorignac J., Geniet F., Palmeri J., Parmeggiani A., Bouet Jean-yves(Corresp.)

(Document sans référence bibliographique) 2020-07-24


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+ Internal structure and remodeling in dystrophin-deficient cardiomyocytes using second harmonic generation doi link

Auteur(s): Varga B., Meli Albano C, Radoslavova Silviya, Panel Mathieu, Lacampagne Alain, Gergely C., Cazorla Olivier, Cloitre T.

(Article) Publié: Nanomedicine Nanotechnology, Biology And Medicine, vol. p.102295 (2020)


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+ Refinement and modularity of immortal dyons arxiv link

Auteur(s): Alexandrov S., Nampuri Suresh

(Document sans référence bibliographique) 2020-09-02
Texte intégral en Openaccess : arxiv


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+ Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy Growth of Buffer Layers on 3C‐SiC/Si(111) Templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Low RF Losses doi link

Auteur(s): Frayssinet Eric, Nguyen Luan, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, Comyn Rémi, Ngo T. H., Zielinski Marcin, Portail Marc, De Jaeger Jean-Claude, Cordier Yvon

(Article) Publié: Physica Status Solidi A, vol. 217 p.1900760 (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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+ Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium doi link

Auteur(s): Bah Micka, Valente Damien, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, De Jaeger Jean-Claude, Frayssinet Eric, Comyn Rémi, Ngo T. H., Alquier Daniel, Cordier Yvon

(Article) Publié: Scientific Reports, vol. 10 p. (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess


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