Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(311) Production(s) de KNAP W.

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+ Terahetz detection by heterostructed InAs/InSb nanowire based field effect transistors doi link

Auteur(s): Pitanti A., Coquillat D., Ercolani D., Sorba L., Teppe F., Knap W., De Simoni G., Beltram F., Tredicucci A., Vitiello M. S.

(Article) Publié: Applied Physics Letters, vol. 101 p.1103 (2012)
Texte intégral en Openaccess : fichier pdf


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+ Helicity sensitive terahertz radiation detection by field effect transistors doi link

Auteur(s): Drexler C., Diakonova N., Olbrich P., Karch J., Schafberger M., Karpierz K., Mityagin Yu, Lifshits M., Teppe F., Klimenko O., Meziani Y. M., Knap W., Ganichev S. D.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 111 p.124504 (2012)
Texte intégral en Openaccess : arxiv


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+ Plasma-Wave Detectors for Terahertz Wireless Communication doi link

Auteur(s): Blin Stéphane, Teppe F., Tohme Lucie, Hisatake Shintaro, Arakawa Kazuki, Nouvel Philippe, Coquillat D., Pénarier Annick, Torres Jeremie, Varani Luca, Knap W., Nagatsuma Tadao

(Article) Publié: Ieee Electron Device Letters, vol. 33 p.1354 - 1356 (2012)


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+ Graphene field-effect transistors as room-temperature terahertz detectors. doi link

Auteur(s): Vicarelli L, Vitiello M., Coquillat D., Lombardo A., Ferrari A. c., Knap W., Polini M., Pelligrini V., Tredicucci A.

(Article) Publié: Nature Materials, vol. 11 p.865-71 (2012)


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+ Nonresonant Detection of Terahertz Radiation in High-Electron-Mobility Transistor Structure Using InAlAs/InGaAs/InP Material Systems at Room Temperature doi link

Auteur(s): El moutaouakil A., Suemitsu T., Otsuji T., Coquillat D., Knap W.

(Article) Publié: Journal Of Nanoscience And Nanotechnology, vol. 12 p.6737-6740 (2012)


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+ Temperature enhancement of terahertz responsivity of plasma field effect transistors doi link

Auteur(s): Klimenko O., Knap W., Iniguez Benjamin, Coquillat D., Mityagin Yury a., Teppe F., Diakonova N., Videlier H., But D., Lime Francois, Marczewski Jacek, Kucharski Krzysztof

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 112 p.014506 (2012)


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+ Room Temperature Terahertz detectors based on semiconductor nanowire field effect transistors

Auteur(s): Vitiello Miriam serena, Coquillat D., Viti Leonardo, Ercolani Daniele, Teppe F., Pitanti Alessandro, Beltram Fabio, Sorba Lucia, Knap W., Tredicucci Alessandro

Conference: Conference on Quantum Sensing and Nanophotonic Devices IX (San Francisco (CA), FR, 2012-01-22)
Actes de conférence: QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES IX, vol. 8268 p.826829 (2012)


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