Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(196) Production(s) de BRIOT O.

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+ Indium Nitride Layer production hal link

Auteur(s): Gil B., Briot O., Ruffenach S., Maleyre B., Cloitre T., Aulombard R.

Brevet: #JP2008513327, (2008)


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+ Method for the growth of Indium nitride hal link

Auteur(s): Ruffenach S., Briot O., Gil B.

Brevet: #WO2008009805, (2008)


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+ Nouveau Procédé pour la croissance de nitrures d'éléments du groupe IIIb hal link

Auteur(s): Ruffenach S., Briot O., Gil B.

Brevet: #FR2904008, (2008)


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+ Growth of InN films and nanostructures by MOVPE doi link

Auteur(s): Briot O., Ruffenach S., Moret M., Gil B., Giesen Christoph, Heuken Michael, Rushworth Simon, T. Leese, Succi Marco

Conférence invité: 2nd International Symposium on Growth of III-Nitride (ISGN-2) (Laforet Shuzenji, Izu, JP, 2008-07-06)
Actes de conférence: Journal of Crystal Growth, vol. 311 p.2761 (2009)
Texte intégral en Openaccess : istex


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+ Metal organic vapour phase epitaxial growth of indium-rich InGaN alloys with robust photoluminescence properties hal link

Auteur(s): Moret M., Ruffenach S., Briot O., Gil B.

(Article) Publié: The European Physical Journal Applied Physics, vol. 45 p.20305 (2009)


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+ Polarization fields in wurtzite strained layers grown on (hkl) planes hal link

Auteur(s): Bernard Gil, Pierre Bigenwald, Briot O.

(Article) Publié: Superlattices And Microstructures, vol. 44 p.291-301 (2008)


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+ Superconductivity of InN as an intrinsic property doi link

Auteur(s): Inushima T., Maude D.K., Kato N., Lu H., Schaff W.J., Tauk R., Meziani R., Ruffenach S., Briot O., Knap W., Gil B., Miwa H., Yamamoto A., Muto D., Nanishi Y.

Conference: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (, AT, 2006-07-24)
Actes de conférence: PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, vol. 893 p.137 (2007)


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