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(94) Production(s) de CONTRERAS S.
Photoluminescence study of Mg-doped GaN and AlxGa1-xN (x<0.4) grown by molecular epitaxy Auteur(s): Brault Julien, Leroux Mathieu, Matta S., Al Khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Peyre H., Contreras S., Juillaguet S., Gil B. (Affiches/Poster) International Workshop on Nitride Semiconductor (Kanazawa, JP), 2018-11-11 |
Growth of epitaxial graphene on SiC (0001) at low argon pressure and its characterization Auteur(s): Wang T., Landois P., Bayle M., Huntzinger J.-R., de Cecco Alessandro, Courtois Hervé, Winkelmann Clemens, Paillet M., Jouault B., Contreras S. (Affiches/Poster) ICPS (Montpellier, FR), 2018-07-29 |
Croissance de graphène par sublimation de carbure de silicium : propriétés structurales et électroniques Auteur(s): Landois P., Wang T., Bayle M., Huntzinger J.-R., De cecco Alessandro, Courtois Hervé, Winkelmann Clemens, Paillet M., Jouault B., Contreras S. (Séminaires) ENSIACET (Toulouse, FR), 2018-05-24 |
Graphène sur SiC, une croissance à haute température Auteur(s): Landois P., Contreras S. (Séminaires) Université de Montpellier, campus St Priest (Montpellier, FR), 2018-09-13 |
Epitaxial graphene growth at low argon pressure and characterization of buffer layer on SiC(0001) Auteur(s): Wang T., Landois P., Huntzinger J.-R., Zahab A. A., de Cecco Alessandro, Courtois Hervé, Winkelmann Clemens, Paillet M., Jouault B., Contreras S.
Conference: GDR-I Graphene and co Annual meeting 2018 (Sète, FR, 2018-10-15) |
Optimization of the properties of the molybdenum back contact deposited by radiofrequency sputtering for Cu( In 1 − x Ga x ) Se 2 solar cells Auteur(s): Briot O., Moret M., Barbier Camille, Tiberj A., Peyre H., Sagna A., Contreras S. (Article) Publié: Solar Energy Materials And Solar Cells, vol. 174 p.418 - 422 (2018) |
Quantum Dot based UV Light Emitting Diodes Auteur(s): Brault Julien, Matta S., Al Khalfioui Mohamed, Leroux Mathieu, Damilano Benjamin, Chenot S., Korytov M, Peyre H., Konczewicz L., Contreras S., Chaix C., Massies Jean, Gil B. (Affiches/Poster) 12th international conference on nitride semiconductors (STRASBOURG, FR), 2017-07-24 |