Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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(227) Production(s) de TEPPE F.

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+ Hot carriers and THz cyclotron emission from Dirac-like fermions in bulk HgCdTe alloys hal link

Auteur(s): Consejo C., But D., Krishtopenko S., Diakonova N., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Michailov N. N., Dvoretskii S.A., Varani Luca, Teppe F., Knap W.

Conference: The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (Buffalo, US, 2017)


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+ HgCdTe as a playground for massless fermions hal link

Auteur(s): Teppe F., Krishtopenko S.

Conférence invité: 7th International Symposium on Terahertz Nanosciences (Porquerolles, FR, 2017-10-02)


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+ Temperature-driven massless fermions in HgCdTe heterostructures hal link

Auteur(s): Teppe F.(Corresp.)

Conférence invité: SPIE Optical Engineering + Applications (San Diego, CA, US, 2017-08-06)


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+ Terahertz studies of semi-relativistic fermions in HgCdTe heterostructures hal link

Auteur(s): Teppe F.(Corresp.)

Conférence invité: Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technolog (Troy, NY, US, 2017-10-02)


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+ FET Terahertz detector with large bandwidth and large dynamic range hal link

Auteur(s): Knap W., Le Bars Philippe, Sahyoun Walaa, Coquillat D., Teppe F., Nouvel P., Thome L., Plagellat-Penarier A., Blin S.

Brevet: #GB2516884B, (2017)


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+ Detection of high intensity THz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors doi link

Auteur(s): Diakonova N.(Corresp.), Coquillat D.(Corresp.), But D., Teppe F., Knap W., Nodjiadjim V., Riet M., Konczykowska A., Faltermeier P., Olbrich P, Ganichev S.

Conference: 2017 42nd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) (Cancun, MX, 2017-08-27)
Actes de conférence: IEEE, vol. p. (2017)


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+ Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates doi link

Auteur(s): Rumyantsev V. V., Kozlov D. v., Morozov S. V., Fadeev M. a., Kadykov A., Teppe F., Varavin V. s., Yakushev M. v., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V. I.

(Article) Publié: Semiconductor Science And Technology, vol. 32 p.095007 (2017)


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