Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


Accueil > La Recherche > Axes & Equipes > Physique de l’Exciton, du Photon & du Spin > Technologies Quantiques à l’Etat Solide

Technologies Quantiques à l’Etat Solide

Axe Physique de l’Exciton, du Photon et du Spin


Domaines de Recherche

L’équipe "Technologies Quantiques à l’Etat Solide" (S2QT), conjointement avec l’équipe "Dynamique de spin (SPIN)", développe son activité autour de 6 thèmes :

Physique du spin Etats quantiques collectifs Matériaux grand gap
Matériaux grand gap
Matériaux 2D Nanophotonique et metamatériaux Technologies quantiques à l’état solide

Plateformes expérimentales

Les activités expérimentale des équipes s’appuient entre autres sur des plateaux expérimentaux d’exception :

Spectroscopie jusqu’au domaine UV Magnéto-optique

Nous rejoindre

Plusieurs possibilités de stages, thèses et post-doctorats sont offertes au sein des équipes, parmi lesquelles :

- Stage : Thermal sensing at nanoscale with a single spin qubit
- Stage : Imaging magnetism at nanoscale with a quantum magnetometer
- Stage : Identifying spin qubit defects in wide bandgap materials
- Stage : Optical thermotronics

23 Membres

PERMANENTS NON PERMANENTS

Toutes les productions

Dernières publications

+ Structural and electronic transitions in few layers of isotopically pure hexagonal boron nitride doi link

Auteur(s): Zribi Jihene, Khalil Lama, Avila José, Chaste Julien, Henck Hugo, Oehler Fabrice, Gil B., Liu Song, Edgar James, Giorgetti Christine, Dappe Yannick, Lhuillier Emmanuel, Cassabois G., Ouerghi Abdelkarim, Pierucci Debora

(Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p. (2020)

 
+ Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy Growth of Buffer Layers on 3C‐SiC/Si(111) Templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Low RF Losses doi link

Auteur(s): Frayssinet Eric, Nguyen Luan, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, Comyn Rémi, Ngo T. H., Zielinski Marcin, Portail Marc, De Jaeger Jean-Claude, Cordier Yvon

(Article) Publié: Physica Status Solidi A, vol. 217 p.1900760 (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

 
+ Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium doi link

Auteur(s): Bah Micka, Valente Damien, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, De Jaeger Jean-Claude, Frayssinet Eric, Comyn Rémi, Ngo T. H., Alquier Daniel, Cordier Yvon

(Article) Publié: Scientific Reports, vol. 10 p. (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

 

Actualités

D. Felbacq gave a lecture on Topological Photonics at the Summer School on Nanophotonics and Metamaterials held in St Petersburg 21-24 June 2016 (http://metalab.ifmo.ru/school/).

Lire la suite


AIGLe

MathJax