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Technologies Quantiques à l’Etat Solide
Axe Physique de l’Exciton, du Photon et du Spin
Domaines de Recherche
L’équipe "Technologies Quantiques à l’Etat Solide" (S2QT), conjointement avec l’équipe "Dynamique de spin (SPIN)", développe son activité autour de 6 thèmes :
| Physique du spin | Etats quantiques collectifs | Matériaux grand gap |
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Matériaux grand gap |
| Matériaux 2D | Nanophotonique et metamatériaux | Technologies quantiques à l’état solide |
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Plateformes expérimentales
Les activités expérimentale des équipes s’appuient entre autres sur des plateaux expérimentaux d’exception :
| Spectroscopie jusqu’au domaine UV | Magnéto-optique |
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Nous rejoindre
Plusieurs possibilités de stages, thèses et post-doctorats sont offertes au sein des équipes, parmi lesquelles :
Stage : Thermal sensing at nanoscale with a single spin qubit
Stage : Imaging magnetism at nanoscale with a quantum magnetometer
Stage : Identifying spin qubit defects in wide bandgap materials
Stage : Optical thermotronics
23 Membres
| PERMANENTS | NON PERMANENTS |
Toutes les productions
Dernières publications
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Structural and electronic transitions in few layers of isotopically pure hexagonal boron nitride  Auteur(s): Zribi Jihene, Khalil Lama, Avila José, Chaste Julien, Henck Hugo, Oehler Fabrice, Gil B., Liu Song, Edgar James, Giorgetti Christine, Dappe Yannick, Lhuillier Emmanuel, Cassabois G., Ouerghi Abdelkarim, Pierucci Debora (Article) Publié: Physical Review B, vol. 102 p. (2020) |
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Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy Growth of Buffer Layers on 3C‐SiC/Si(111) Templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Low RF Losses Auteur(s): Frayssinet Eric, Nguyen Luan, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, Comyn Rémi, Ngo T. H., Zielinski Marcin, Portail Marc, De Jaeger Jean-Claude, Cordier Yvon
(Article) Publié:
Physica Status Solidi A, vol. 217 p.1900760 (2020)
Texte intégral en Openaccess : |
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Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium Auteur(s): Bah Micka, Valente Damien, Lesecq Marie, Defrance Nicolas, Garcia barros Maxime, De Jaeger Jean-Claude, Frayssinet Eric, Comyn Rémi, Ngo T. H., Alquier Daniel, Cordier Yvon
(Article) Publié:
Scientific Reports, vol. 10 p. (2020)
Texte intégral en Openaccess : |
Actualités
D. Felbacq gave a lecture on Topological Photonics at the Summer School on Nanophotonics and Metamaterials held in St Petersburg 21-24 June 2016 (http://metalab.ifmo.ru/school/).
