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Thème : Composants et Capteurs
Présentation
Notre expertise en mesures optique et électrique est dédiée à l’étude des semiconducteurs et des capteurs à base de nanostructures. Nos deux axes de recherche sont la physique et la nanophysique des composés III-V d’une part et l’ axe « matériau » qui concerne les semiconducteurs à large bande interdite et le graphène d’autre part. Le premier axe met à profit les connaissances d’une recherche fondamentale dans des actions de physique appliquée (capteurs GaAs/GaInAs/GaAlAs à effet Hall, composants à base de nitrure, photodiodes à base de super réseaux InAs/GaSb). Dans le deuxième axe, un sujet majeur reste l’étude du carbure de silicium, semiconducteur pour l’électronique de puissance, et plus particulièrement l’étude des fautes d’empilement qui sont la principale cause de défaillance des dispositifs. Notre expertise sur le SiC a conduit à l’émergence de l’activité « graphène » avec pour objectif de développer des films de graphène épitaxiés par la sublimation du SiC et d’étudier leurs propriétés optiques et électriques sur des dispositifs adaptés.
L’ensemble de nos activités s’organisent dans le cadre de nombreuses collaborations au travers de projets nationaux et européens.
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Dernières publications
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Dirac‐Like Fermions Anomalous Magneto‐Transport in a Spin‐Polarized Oxide 2D Electron System  Auteur(s): Chen Yu, d'Antuono Maria, Trama Mattia, Preziosi Daniele, Jouault B., Teppe F., Consejo C., Perroni Carmine, Citro Roberta, Stornaiuolo Daniela, Salluzzo Marco
(Article) Publié:
Advanced Materials, vol. p. (2024)
Texte intégral en Openaccess : |
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Determining by Raman spectroscopy the average thickness and N -layer-specific surface coverages of MoS 2 thin films with domains much smaller than the laser spot size Auteur(s): Wasem Klein Felipe, Huntzinger J.-R., Astié Vincent, Voiry Damien, Parret R., Makhlouf H., Juillaguet S., Decams Jean-Manuel, Contreras S., Landois P., Zahab A. A., Sauvajol J.-L., Paillet M.
(Article) Publié:
Beilstein Journal Of Nanotechnology, vol. 15 p.279-296 (2024)
Texte intégral en Openaccess : |
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Direct liquid injection pulsed-pressure MOCVD of large area MoS 2 on Si/SiO 2 Auteur(s): Astié Vincent, Wasem Klein Felipe, Makhlouf H., Paillet M., Huntzinger J.-R., Sauvajol J.-L., Zahab A. A., Juillaguet S., Contreras S., Voiry Damien, Landois P., Decams Jean-Manuel (Article) Publié: Physical Chemistry Chemical Physics, vol. p. (2024) |
GaAs/GaInAs/GaAlAs Hall sensors
Hall sensors, based on GaAs/GaInAs/GaAlAs pseudomorphic heterostructures, can be used for metrological and microscopic applications like electricity metering or scanning magnetometer. (…)
Nitride devices
High temperature devices. At elevated temperature, the semiconductor materials like Si or “classical” III-V compounds reach their natural limit and the use of a wide band gap material like (…)
InAs/GaSb superlattice for photodiodes
InAs/GaSb strain layer superlattices (SLS) emerge as an attractive system for infrared detection devices. Already the high performance photodiodes, in the 3-5 μm range (or MWIR : mid-wavelength (…)
Silicon Carbide
The topic of Silicon carbide (SiC) is due to a long term collaboration with National and international University and Industries. SiC is an attractive material for developing high power devices, (…)
Graphene
Our SiC expertise yields the emergence of a graphene research activity in collaborations with several groups : LCVN Centro National de Microelectronica (Barcelona, Spain) ANR Graphsic (Institut (…)
