Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

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Thème : Composants et Capteurs

Présentation

Notre expertise en mesures optique et électrique est dédiée à l’étude des semiconducteurs et des capteurs à base de nanostructures. Nos deux axes de recherche sont la physique et la nanophysique des composés III-V d’une part et l’ axe « matériau » qui concerne les semiconducteurs à large bande interdite et le graphène d’autre part. Le premier axe met à profit les connaissances d’une recherche fondamentale dans des actions de physique appliquée (capteurs GaAs/GaInAs/GaAlAs à effet Hall, composants à base de nitrure, photodiodes à base de super réseaux InAs/GaSb). Dans le deuxième axe, un sujet majeur reste l’étude du carbure de silicium, semiconducteur pour l’électronique de puissance, et plus particulièrement l’étude des fautes d’empilement qui sont la principale cause de défaillance des dispositifs. Notre expertise sur le SiC a conduit à l’émergence de l’activité « graphène » avec pour objectif de développer des films de graphène épitaxiés par la sublimation du SiC et d’étudier leurs propriétés optiques et électriques sur des dispositifs adaptés.
L’ensemble de nos activités s’organisent dans le cadre de nombreuses collaborations au travers de projets nationaux et européens.

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Auteur(s): Chen Yu, d'Antuono Maria, Trama Mattia, Preziosi Daniele, Jouault B., Teppe F., Consejo C., Perroni Carmine, Citro Roberta, Stornaiuolo Daniela, Salluzzo Marco

(Article) Publié: Advanced Materials, vol. p. (2024)
Texte intégral en Openaccess : arxiv

 
+ Determining by Raman spectroscopy the average thickness and N -layer-specific surface coverages of MoS 2 thin films with domains much smaller than the laser spot size doi link

Auteur(s): Wasem Klein Felipe, Huntzinger J.-R., Astié Vincent, Voiry Damien, Parret R., Makhlouf H., Juillaguet S., Decams Jean-Manuel, Contreras S., Landois P., Zahab A. A., Sauvajol J.-L., Paillet M.

(Article) Publié: Beilstein Journal Of Nanotechnology, vol. 15 p.279-296 (2024)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

 
+ Direct liquid injection pulsed-pressure MOCVD of large area MoS 2 on Si/SiO 2 doi link

Auteur(s): Astié Vincent, Wasem Klein Felipe, Makhlouf H., Paillet M., Huntzinger J.-R., Sauvajol J.-L., Zahab A. A., Juillaguet S., Contreras S., Voiry Damien, Landois P., Decams Jean-Manuel

(Article) Publié: Physical Chemistry Chemical Physics, vol. p. (2024)

 

GaAs/GaInAs/GaAlAs Hall sensors

Hall sensors, based on GaAs/GaInAs/GaAlAs pseudomorphic heterostructures, can be used for metrological and microscopic applications like electricity metering or scanning magnetometer. (…)

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Nitride devices

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Silicon Carbide

The topic of Silicon carbide (SiC) is due to a long term collaboration with National and international University and Industries. SiC is an attractive material for developing high power devices, (…)

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Graphene

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