Rechercher
Accueil > La Recherche > Axes & Equipes > Physique de l’Exciton, du Photon & du Spin > Optique des états collectifs et des spins (OECS) > Etats collectifs dans les semiconducteurs > IXTASE
Publications
publié le
- Complexity of the dipolar exciton Mott transition in GaN/(AlGa)N nanostructures
Chiaruttini F., Guillet T., Brimont C., Scalbert D., Cronenberger S., Jouault B., Lefebvre P., Damilano B., Vladimirova M.
Physical Review B, vol. 103 p.045308 (2021)
Openaccess version : arxiv:2010.08216
HAL version : hal-03014825
