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Research Activities: 
Mes projets s'articulent autour de deux axes de recherche que je développe depuis 5 dernières années : les excitons indirects (1) et la physique du spin nucléaire (2). (1) Les excitons indirects sont des quasiparticules qui présentent une long duré de vie, une structure de spin bien définie et un dipôle électrique très large. Ces propriétés ouvrent la voie pour réaliser des états collectifs avec des propriétés quantiques. Nous visons à scruter ces états dans des divers matériaux (GaAs, GaN, ZnO) grâce aux nouvelles méthodes que nous avons développées, et en s’appuyant sur les techniques modernes de nanofabrication. (2) Dans les semiconducteurs, diverses transitions de phase de spin nucléaire ont été prédites, sans être observées expérimentalement. Un tel degré de contrôle sur les états de spin nucléaire promet une percée importante dans le domaine de la spintronique semiconducteur, où les fluctuations dans le système de spin nucléaire sont considérées comme une source majeure et omniprésente de la décohérence. L’objectif de ce projet et de relever le défi de refroidissement profond de spins nucléaires dans les nanostructures à base de GaAs (jusqu'à 1μK), afin de créer et de contrôler les états de spin collectives résultants. 
Research Program/Curriculum vitae: 
Projects participation(s): 

Research Topics:

Trapping dynamics of indirect excitons into electrostatic traps in GaN quantum wells Author(s): Guillet T., Chiaruttini F., Brimont C., Bretagnon T., Doyennette L., Lefebvre P., Valvin P., Damilano Benjamin, Chenot Sebastien, Cordier Yvon, Vladimirova M.
Invited Conference: 3rd TeraMetaNano International Conference (Uxmal, MX, 20180325) 
Cooling, relaxation and spin temperature of nuclear spin system in GaAs. Author(s): Vladimirova M., Cronenberger S., Scalbert D., Kotur M., Dzhioev R. i., Ryzhov I. i., Zapasskii V. s., Kozlov G. g., Lemaître A., Cherbunin R. v., Korenev V. l., Sokolov P. s., Suter D., Yakovlev D. r., Bayer M., Kavokin K. V.
Invited Conference: 50 years of optical orientation in Semiconductors (Paris, FR, 20180618) 
Phase transition of indirect excitons in GaN quantum wells. Author(s): Guillet T., Chiaruttini F., Brimont C., Bretagnon T., Doyennette L., Lefebvre P., Valvin P., Damilano Benjamin, Chenot Sebastien, Cordier Yvon, Vladimirova M.
Conference: International Workshop on Nitride semiconductors  IWN2018. (Kanazawa, JP, 20181111) 
Spin relaxation of indirect excitons in asymmetric coupled quantum wells Author(s): Abbas C., Chiaruttini F., Cronenberger S., Scalbert D., Dubin Francois, Lemaitre A., Vladimirova M. (Article) Published: Superlattices And Microstructures, vol. 122 p.643 (2018) 
Trapping dynamics of indirect excitons into electrostatic traps in GaN quantum wells. Author(s): Guillet T., Chiaruttini F., Brimont C., Bretagnon T., Doyennette L., Lefebvre P., Valvin P., Damilano Benjamin, Chenot Sebastien, Cordier Yvon, Vladimirova M.
Invited Conference: TERAMETANANO3: Terahertz Emission, Metamaterials and Nanophotonics. (Uxmal, MX, 20180325) 