Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221 CNRS/UM2 (L2C)

français


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KONCZEWICZ Leszek      
Emerite Université
Autre(s) thème(s) de recherche ou rattachement(s) :
 - Composants et capteurs
Leszek.Konczewicz_AT_umontpellier.fr
Bureau: 36.1, Etg: 2, Bât: 21 - Site : Campus Triolet

Domaines de Recherche:
  • Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
Dernieres productions scientifiques :
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+ p-type conductivity in GaN:Zn monocrystals grown by ammonothermal method doi link

Auteur(s): Zajac Maciej, Konczewicz L., Litwin-Staszewska Elzbieta, Iwinska M., Kucharski R., Juillaguet S., Contreras S.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 129 p.135702 (2021)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

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+ High-Pressure Synthesis and Gas-Sensing Tests of 1-D Polymer/Aluminophosphate Nanocomposites doi link

Auteur(s): Alabarse Frederico, Polisi Michelangelo, Fabbiani Marco, Quartieri Simona, Arletti Rossella, Joseph Boby, Capitani Francesco, Contreras S., Konczewicz L., Rouquette Jerome, Alonso Bruno, Di Renzo Francesco, Zambotti Giulia, Baù Marco, Ferrari Marco, Ferrari Vittorio, Ponzoni Andrea, Santoro Mario, Haines Julien

(Article) Publié: Acs Appl. Mater. Interfaces, vol. 13 p.27237-27244 (2021)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

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+ High temperature electrical transport properties of MBE-grown Mg-doped GaN and AlGaN materials doi link

Auteur(s): Konczewicz L., Juillaguet S., Litwin-staszewska E., Piotrzkowski R., Peyre H., Matta S., Al Khalfioui M., Leroux M., Damilano B., Brault J., Contreras S.

(Article) Publié: Journal Of Applied Physics, vol. 128 p.085703 (2020)
Texte intégral en Openaccess : openaccess

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+ Photoluminescence of GaN and AlxGa1-xN (x≤ 0.2) doped with Mg and grown by molecular beam epitaxy

Auteur(s): Leroux Mathieu, Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Contreras S., Juillaguet S., Konczewicz L., Gil B., Brochen S.

(Affiches/Poster) JNMO (Cap Esterel-Aguay, FR), 2018-06-13

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+ Photoluminescence of Mg−doped GaN and AlxGa1−xN (x< 0.2) grown by molecular beam epitaxy

Auteur(s): Leroux Mathieu, Brault Julien, Matta S., Al khalfioui Mohamed, Damilano Benjamin, Contreras S., Juillaguet S.(Corresp.), Konczewicz L.(Corresp.)

(Affiches/Poster) International Conference on the physics semiconductors (Montpellier, FR), 2018-07-30

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